行情有变?原厂建厂、上调财测,其中三星还在规划256层芯片

据外媒报道,日本电子情报技术产业协会(JEITA)近日指出,根据世界半导体贸易统计协会(WSTS)最新公布的预测报告显示,虽受到新冠肺炎(COVID-19,武汉肺炎)疫情扩散影响,不过因5G 智能手机需求增加,加上疫情推升居家办公、线上教学普及,带动PC、资料中心相关需求增加,提振存储器需求旺,因此今年全球半导体销售额预估将年增5.1% 至4,331.45 亿美元、优于前次(2020 年6 月)预估的4,259.66 亿美元。

WSTS 表示,2020 年全球4 大半导体市场中,美国市场销售额预估将年增18.7% 至933.43 亿美元、欧洲将年减8.4% 至364.52 亿美元、亚太地区将年增3.8% 至2,675.90 亿美元、日本市场将年减0.6% 至357.59 亿美元(以日圆计价为年减2.1% 至3 兆8,345 亿日圆)。

就产品种类来看,2020 年晶片(IC)全球销售额预估将年增6.4% 至3,545.56 亿美元、离散元件(discrete)预估将年减1.2% 至235.93 亿美元、LED 等光电元件(Optoelectronics )将年减2.6% 至404.81 亿美元、感测器(Sensor)将年增7.4% 至145.15 亿美元。

就IC 细项来看,2020 年存储器(Memory)销售额预估将大增12.2% 至1,194.40 亿美元、包含CPU 等产品在内的Logic 将年增6.5% 至1,134.19 亿美元、Micro 将年增2.0% 至677.44 亿美元、Analog 将年增0.03% 至539.54 亿美元。

镁光上修2021年第一季财测,商用市场有望改善

镁光近日上修2021财年第一季(9~11月)财测:营收预估值从原本的50-54亿美元上修至57亿美元;非一般公认会计原则(Non -GAAP)每股稀释盈余预估值从原本的0.40~0.54美元上修至0.69~0.73美元;Non-GAAP毛利率则由原本的26.5%~28.5%上修至29.5%~30.5%。

(Source:镁光)

FactSet调查的分析师平均预期该公司第一财季每股盈利51美分,营收53亿美元。

Barron’s、The Motley Fool 等外电报道,镁光执行长Sanjay Mehrotra 近日在瑞士信贷举行的科技会议透露,“销售量、定价表现都优于公司原先预估。“手机、汽车、工业及PC 销售量表现强劲,是决定调高财测的主因。

Mehrotra 表示,预测DRAM 市况有望一路旺到明年。不过,镁光必须谨慎处理快闪存储器的供应量,因为2021 年供给有超出需求的风险。Mehrotra 认为,2021 年全球经济设法渡过疫情幽谷、逐渐复苏之际,存储器、芯片的需求也会持续扩大,一旦疫情结束,相信2021 年商用市场也会开始改善。

瑞银分析师Timothy Arcuri 在镁光上修财测后,决定将目标价从61 美元调升至78 美元。他直指,中国OEM 厂需求强劲,有望促使DRAM 供给变得吃紧。

Needham分析师Rajvindra Gill将镁光的目标股价从65美元上调至80美元,同时维持对该股的买入评级。

Gill表示,该公司在Roadmap活动上发表了几项“重要的技术公告”,包括到2023年向DRAM过渡到EUV光刻。

这位分析师表示,在NAND存储器方面,镁光表示将在其先进的基于176层工艺的产品上采用替代门技术,理由是在关键领域较旧工艺有所改进。

铠侠扩厂增产NAND FLASH

全球第二大NAND厂铠侠(KIOXIA,旧称东芝)在10月29日宣布,为了因应需求扩大,将增产3D NAND FLASH,计划在四日市工厂厂区内兴建新厂房“第7厂房”,该座新厂2021年春季房将在天动工业。铠侠指出现,随著云端服务、5G基建、物联网iot、 AI智能,汽车自动驾驶等技术普及,就中长期来看,预估今后将呈现扩大NAND FLASH市场。

“第七厂房”整体兴建工程将分2 期,此次将进行的是第1 期工程、预计于2022 年春天完工。

三星:堆叠256层不是问题,但一切以市场为主

三星电子公司计划使用双堆栈技术来开发其下一代V-NAND闪存,业界官员周二表示,随着全球最大的内存芯片生产商试图进一步巩固其在该领域的领先地位。

三星在周一举行的投资者论坛上透露,它将在其未来的NAND闪存芯片中采用“极端两叠”技术,并且有可能开发256层设备。

三星电子高级副总裁韩进满说:“我们的第六代V-NAND采用单堆栈技术最多可具有128层,但是,如果我们采用双堆栈技术,则从数学上讲256层堆栈是可能的。”内存业务部门,在论坛上。

在当今的NAND闪存生产中,制造商的技术实力可以通过设备中堆叠的存储单元层数来衡量,因为更多的层意味着更高的容量和更高的位密度。

与单堆栈解决方案相比,双堆栈方法可以更快地集成更多层,但需要更先进的蚀刻技术。

三星对V-NAND堆叠技术的解释

虽然在技术上可以实现256层NAND闪存,但是Han表示这并不一定意味着三星的下一代NAND将具有这种配置。

三星目前正在开发其第七代V-NAND,预计将于明年量产,目前尚未公布其层数制程。

三星董事长Han说:“芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。”“这不是关于’可以堆叠多少层’,而是关于’目前市场上最佳的层数‘。”Han补充说,COVID-19大流行是一次“痛苦的”经历,但是通过数字化的努力激发了对存储芯片的需求。他预测,未来几年对NAND闪存和DRAM芯片的需求都将强劲增长。

据路透社报道,三星于6月1日开始在平泽市造船厂内兴建设NAND FLASH新产线,于2021年下半年开始量产NAND FLASH。三星计划藉由增产来因应5G.智能手机等需求。三星位于中国陕西省西安市的第2工厂也在增设新产线,预计在2021年开始进行生产。

展望明年情况,WSTS 指出,在新冠肺炎疫情扩散情况获得改善的前提下,期待全球经济将呈现回复,预期半导体市场将加速成长,其中特别是今年饱受冲击的汽车产业需求将急速回复,加上5G 进一步普及有望推升广范围产品需求扩大,因此预估明年全球半导体销售额将年增8.4% 至4,694.03 亿日圆、将优于前次预估的4,522.52 亿日圆,且将超越2018 年的4,687 亿美元、创下历史新高纪录。

本文源自头条号:闪德资讯

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