1nm光刻机!荷兰科技巨头传来新消息,台积电“喜从天降”

如今,芯片制程工艺已经来到了5nm,而三星、台积电还在继续向着更高制程的3nm与2nm推进。但是,受到摩尔定律影响,想要继续向前推进,难度将翻倍提升。

如今有不少半导体公司认为,摩尔定律已经走到了尽头,或因成本成本太高,而放弃了工艺小型化。不过,身为全球第一大光刻机巨头的ASML,却没有停下前进的脚步。

11月18日,IMEC公司首席执行官Luc Van den hove带来了一个振奋人心的消息。他表示,IMEC在与ASML的紧密协作之下,成功实现高NA EUV光刻技术商业化,此为下一代高分辨率EUV光刻技术。

同时,IMEC还展示了3nm、2nm、1.5nm与1nm以下的小型化线路图。

IMEC还表示,作为NXE:5000系列的高NA(NA=0.55)EUV曝光系统的基本设计,ASML已经完成,到2022年时其将启动商业化计划。

目前EUV光刻机的NA=0.33,而2nm以后则需要NA=0.55。这表示,ASML的更高精度光刻机有了重大进展。

与当前光刻机相比,下一代光刻系统将会十分巨大,这是因为其光学系统将会更大。

通过IMEC首席执行官的介绍来看,ASML对下一代光刻机已经有了完善的规划,1nm,甚至亚1nm光刻机离众人已经越来越近。

ASML的这一好消息,对正在努力攻克更高精度芯片的台积电来说,可谓是“喜从天降”。

在2020世界半导体大会上,台积电南京公司总经理罗镇球表态,台积电将继续推进芯片制程工艺,就算是到1nm,摩尔定律仍将适用。

而ASML光刻机的突破,将助台积电一臂之力。

根据台积电当前规划,其将在2022年实现3nm芯片量产。而在2024年时,则要实现2nm芯片的量产。

如今,台积电2nm制程已经有了重大突破。据悉,台积电2nm将采用GAA技术,GAA的栅极对沟道的四面进行包裹,从而令源极和漏极不再和基底接触。

GAA有着性能强、功耗更低的优势,不过,其也将带来成本的提高。据悉,5nm工艺成本为4.76亿美元,而3nm GAA成本则将突破5亿美元。

最终,台积电能否克服重重困难,成功将工艺节点推进至2nm,十分值得期待。

如今,台积电与三星之间的竞争尤为激烈。三星为超越台积电,坐上老大的位置,可谓是卯足了劲,但台积电也不甘落后。当前,二者的竞争十分胶着,最终,谁能赢得先机,十分令人期待。

文/BU 审核/子扬 校对/知秋

本文源自头条号:厦门名记

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