中芯国际第二代FinFET已进入小量试产 14nm工艺再度进化

12月4日,有投资者在互动平台提问“请问近来公司7纳米产品生产研发进展如何?在国内外将产生怎样的影响?”对此,中芯国际回复“公司第一代FinFET 14nm已于2019年四季度进入量产,第二代FinFET已进入小量试产。”

中芯国际第二代FinFET已进入小量试产

中芯国际2019第四季度财报会议上,梁孟松博士透露了中芯国际下一代“N+1”工艺的详细数据。梁孟松博士透露,中芯国际的下一代N+1工艺和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。

所以在功率和稳定性方面,N+1和7nm工艺非常相似,唯一区别在于性能方面,N+1工艺的提升较小,市场基准的性能提升应该是35%。所以,中芯国际的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。

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本文源自头条号:中关村在线

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