追赶美国Intel!中芯国际12nm芯片年内将小量试产,性能提升10%

除了中国企业试图赶超国际先进芯片制程,美国巨头英特尔也在加紧行动。

据科创板日报12月4日最新消息,我国芯片生产巨头中芯国际在互动平台公开表示,该司即将在2020年底小批量试产第二代FinFET N+1芯片,目前这一芯片已经进入客户导入阶段。去年年底,中芯国际率先完成任务,完成了第一代FinFET 14nm芯片的量产工作。

资料显示,对比起一代14nm芯片,二代FinFET N+1芯片的工艺将提升至12nm,晶体管尺寸将进一步缩减,功耗降低20%、性能提升10%,错误率降低20%。据悉,此前业界曾“误传”,中芯国际N+1、N+2工艺项目的可以媲美台积电的7nm芯片工艺。

今年3月,中芯国际也对此澄清道,该司N+1、N+2工艺项目与台积电7nm芯片还有差距,只能说,在功耗以及稳定性能与其相提并论。不过,虽然与国际最先进的芯片代工产商还有距离,但是中芯国际当前取得的成绩实属来之不易。据悉,目前全球能生产14nm芯片的企业仅有6家,中芯国际就是其中之一。

除了中国企业试图赶超国际高端芯片的先进制程,美国芯片巨头英特尔(Intel)也在加紧行动。截至目前,作为美国第一大芯片生产商,英特尔芯片工艺仅发展至10nm,7nm工艺的进展还屡次被延迟。近期,已经有不少业界人士猜测,由于本土产能受限,英特尔很有可能会将美国本土的芯片订单转交给台积电等帮忙代工。

此外,我国芯片产业也在不断传来重磅利好。就在今日(12月4日),中芯国际宣布旗下子公司中芯控股将和国家集成电路基金II、亦庄国联手成立合资企业。据天眼查公布的报告,我国已有超过20000家芯片相关企业拥有自家独有的专利,占比相关企业总量的8.45%。这意味着,我国日后将在芯片专利领域拥有更多话语权。

就连我国北京市也送来了一则“好消息”。据报道,北京市多名代表人士“公开放话”,接下来将力争突破集成电路、关键新材料等“卡脖子”技术,加快推进世界一流重大科技基础设施集群建设。不难想象,当我们集全国的力量攻克生产难题,芯片产业迎来“弯道超车”的一天也就不远了。


文 |廖力思 题 |徐晓冰 图 |饶建宁 卢文祥 审 |徐晓冰

本文源自头条号:金十数据

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