ASML实现1nm了,而国产光刻机的真实水平,才180nm?

近日,一则消息传出,称全球最牛的光刻机巨头荷兰ASML已经基本完成1nm光刻机设计,预计这款1nm光刻机设备将会在2022年实现商用。

与此同时,国内某科技媒体又有一个报道称,目前国产光刻机的水平还在180nm制造,至于上海微电子的90nm的光刻机,其实是还没有量产的,并且使用的实际上是海外20年前的光源技术。

这就让人万分的不解了,为何国产光刻机差这么远,国内真的才实现了180nm水平?

我们知道所谓的光刻机工艺,与芯片工艺是对应的,可以分为180nm、90nm、65nm、45nm、22nm、14nm、7nm、5nm、1nm等。

其实光刻机本身并没有所谓的工艺节点,只是说它能够用于多少工艺的芯片,即代表着它达到了多少nm。

比如ASML的EUV光刻机,可以生产7nm的芯片,也可以用于5nm的芯片生产,所以大家认为现在的EUV光刻机水平是达到了5nm工艺的。

而目前国内最强的光刻机厂商是上海微电子,按照官网的产品介绍,最新的产品是SSA600/20,分辨率是90nm,即可以用于90nm芯片的生产。

而加上上海微电子已经将产品介绍全部列在官网上了,所以可以认为国产光刻机的真实水平,其实就是达到了90nm,至于它是采用国外的光源,还是采用国内的光源,这本身并不重要。

因为不管是ASML,还是像尼康、佳能这样的光刻机厂商,所有的器件都是全球采购整合的,并不是全部自己造的。

所以我们可以认为国产光刻机的真实水平,其实是90nm,而不是180nm,你觉得呢?当然,这个水平较ASML还是落后太远了,还需要继续努力。

本文源自头条号:互联网乱侃秀

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