中科院研究员澄清5nm光刻机,真实水平为180nm

今年7月,中科院网站刊登了一则国产5nm光刻机获突破的文章,讲述了新型5nm超高精度激光光刻加工方法。此消息一出,立即引发了广大网友的热烈讨论,因为那个时候正是华为遭遇美国技术封锁、寻求出路的时刻,这一突破让国人看到了希望。

近日,有关这篇文章的通讯作者刘前在接受媒体采访时澄清,这一技术与高端光刻机采用的极紫外光刻机是两回事,中科院研发的5nm超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模,是集成电路制造中不可缺少的一部分,要真正突破光刻机巨头ASML的垄断,还有很多核心技术需要突破。

那么 ,我国的光刻机技术到底在什么水平呢?有业内人士分析称,目前可以实现180nm制程,但还在试用阶段,我国一直以来在光刻机上没有突破进展的一个重要原因是产业环境的问题,因为在华为事件之前,国产设备一直处于鄙视链的下游,很多客户都不愿意了解国内产品和设备,都觉得国内设备太low,客户都不愿意使用和测试,研究人员自然也没有兴趣继续研究了,因为研究出来都没有人愿意使用。

现在,我们的芯片被堵死了,大家心态也都转变了,大家都拼命帮你做,和以前自己干的劲头是不一样的。

关于现在光刻机技术的研究进展,现在网络上众说纷纭,如果真实的水平真的是180nm的话,我们还需要奋斗很长时间,任重而道远啊,大家怎么看我国的芯片技术发展呢?

本文源自头条号:商业大佬内参

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