“芯片狂人”梁孟松掌舵中芯国际,能否助力中国打造下一个台积电

今年芯片一直是大家茶饭后的热议话题,3年前,被业界誉为“芯片狂人”梁孟松被中芯国际正式邀请加入,媒体也称为“中国半导体产业进入梁孟松时代”。曾经梁孟松是半导体行业中的风云人物,在他的努力下,台积电、三星完成了蜕变,一举成为全球晶圆厂代工市场的巨头。

如今中芯国际短短一年多时间,就完成了第一代FinFET工艺,随机继续提升为第二代FinFET N+1工艺,该N+1工艺对应的就是7nm工艺技术,短短三年时间就让中芯国际迈入芯片高端市场。这位被业界誉为“芯片狂人”梁孟松在半导体领域产生了非同凡响的反应,梁孟松到底有多牛?

​四十岁加入台积电,铜制程工艺的研发一战成名

梁孟松在四十岁的时候加入台积电,那时芯片发展的工艺是130nm,IBM采取铝制程工艺,将研发的新制程技术转让晶圆代工厂商赚取暴利。当芯片面临130以下的节点时候,铝制程工艺就显示出了各种不同的弊端,寻找新的材料工艺是摆在芯片行业领域最急迫的事情,铜制程工艺就成了最热的备选。

当时芯片代工有台积电和台联电,台联电看到了超越台积电的机会,欲要在130以下的铜制程工艺取代台积电,便与IBM签约为攫取晶圆代工一哥地位布局。

台积电张忠谋也意识到铜制程工艺的发展趋势,便决定抢在IBM之前完成铜制程工艺的研发,正是因为在梁孟松与蒋尚义两人的联合努力下,台积电提前一年完成研发130纳米铜制程,彻底确立了台积电在半导体行业的龙头地位。正是因为提前掌握了130那么nm铜制程工艺,该项技术为台积电带来了将近55亿元新台币营业额,从而拉开了与联电之间的差距。

梁孟松离开台积电,加入三星,再次助力三星成为晶圆代工巨头

2008年,梁孟松离开台积电以后便加入三星,再次在20nm工艺节点取得突破,助力三星打赢台积电,再次打造全球晶圆代工巨头。

加入三星后,梁孟松决定改变三星落后的局面,大胆毅然创新,毅然决定直接跳过20nm,从28nm制程升级到14nm,尽管当时很多人不同意,但梁孟松力排众议,使三星一举超过台积电16nm工艺制程,成为拥有最先进工艺技术。也正是梁孟松此举,帮助三星攻克了14纳米FinFET技术工艺,很快赢得了高通客户,让三星在半导体行业中迅速崛起。

短短几年的发展,三星已成功涅槃,成为行业巨头,台积电才意识自己准备十年的16nmFinFET已落后于三星,梁孟松相继助力台积电、三星取得了辉煌的成绩,在业界一下声名鹊起,也因此被誉为半导体行业的传奇人物。

梁孟松在中芯国际上能否续写传奇?能否为中国打造下一个“台积电”

2017年10月,梁孟松正式加入中芯国际,他能继续书写传奇经历吗?能否助力中芯国际后者居上?短短一年不到的时间,中芯国际的发展明显提速,直接从28nm完成14nm的跨越,更重要的是,14nm制程的良品率大幅度提高,在2019年就实现14nm量产。

我们知道中芯国际成立2008年,梁孟松的加入让中芯国际在一年多走完了之前十年的需要走的路,让我国半导体制造迅速崛起。

​最近两年中芯国际发展迈入快车道,在去年中芯国际完成第一代FinFET工艺,年底已实现14nm芯片的量产,很快又升级为第二代FinFET N+1工艺,比第一代无论性能、功耗都取得了明显的改善,这其实就是对标台积电、三星的7nm工艺制程,很快缩短了与台积电、三星的差距,国产芯片正式加入高端市场。正因为中芯国际FinFET N+1独特工艺,从而绕过了生产7nm以下必须使用阿斯麦EUV光刻机这道坎,7nm芯片量产也即将实现。

​总结:

中芯国际的快速崛起,让美国迅速感受到了压力,最近美国再次向中芯国际纳入制裁,意在阻扰我国半导体领域发展速度。今年我国半导体领域取得了前所未有的发展,南大光电在光刻胶领域破冰,掌握了生产高端光刻胶技术,8英寸石墨烯晶圆已突破,采用冰刻技术代替光刻胶也从理论变为现实,国产晶圆代工龙头也工艺制程也即将实现7nm量产。其实,我国半导体领的发展即将迎来曙光,这一切都离不开我国科技人员夜以继日的努力,尤其是在芯片供应链中关键环节,中芯国际在梁孟松带领下,能否继续为中国打造下一个“台积电”,但有点必须肯定的是,“中国芯”全面实现国产替代的脚步声已越来越近,我们拭目以待!

本文源自头条号:生活与逻辑分享

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