光刻机传来消息,ASML再度出手,台积电并不是空穴来风

自从华为遭遇到了芯片之痛之后,芯片仿佛在一夜之间就成为了我们争相关注的目标。首先,因为我国在芯片行业发展起步较晚,发展速度较慢,掌握的核心技术较少,导致我国对芯片进口需求程度高。另一方面,因为ASML的EUV光刻机也迟迟无法交付到中芯的手中,所以也导致了我国在芯片制造环节也相对落后。

而从目前台积电、三星等知名晶圆体制造企业来看,现阶段芯片工艺已经进化到了5nm,麒麟9000、A14等旗舰芯片采用的都是台积电的5nm工艺技术,高通即将发布的高通875芯片也将会基于三星的5nm技术制造。而我国目前能够生产的芯片仅仅只有14nm,虽然能够做很多事情,但是硬实力的不足我们却不可否认。

前段时间传来消息,中芯国际已经能够量产N+1工艺技术,中芯的N+1技术可以在没有EUV光刻机的条件下生产出与台积电7nm工艺相近水平的芯片。这个消息的出现对国产芯片来说绝对是一个值得高兴的好消息。但中芯如果想要制造出更先进的芯片,EUV光刻机必不可少,所以N+1已经是目前中芯能够达到的最高天花板了。

芯片工艺的不断提升也带来了一个难题,那就是摩尔定律。因为工艺的不断提升,导致芯片正在逐渐逼近摩尔定律的极限水平,所以现在很多人都开始怀疑芯片工艺是否在5nm之后几乎就没有提升了?近日,光刻机巨头ASML给出了这个答案。

在11月18日的时候传来了关于光刻机的消息,日本的ITF在日本东京举办了一个网上发布会。根据IMEC公司所表示,目前该公司正在与荷兰ASML公司加强合作,正在将下一代的EUV光刻技术——高NA EUV技术商业化,并且将工艺规模缩小到1nm甚至更小。

在之前的7nm工艺时代,部分工艺已经存在NA=0.33的光刻设备,而5nm则在频率上有一定的提升。未来到了2nm工艺技术之后,设备的分辨率以及NA值将会再度提升。根据IMEC所述,ASML目前已经完成了NXE:5000系列的高分辨率EUV设备的设计工作。而这也说明ASML再度出手,未来将会推出1nm光刻机设备。

ASML的动作也再一次印证了当初台积电的说法。在之前召开的2020年半导体大会上,台积电的罗镇球表示,未来芯片工艺技术将会持续推进,摩尔定律也将会继续适用,不管3nm还是2nm,甚至是1nm工艺技术都没有什么问题。所以在工艺技术问题上的自信,台积电并不是空穴来风,也并没有骗人。与此同时,这个消息对于台积电来说也是喜上眉梢,因为1nm光刻机已经有了着落。

当然,工艺的升级带来的也是成本上的提高,随着传统FinETF技术时代的落幕,芯片行业也将迎来“变革”,在这当中,GAA技术的导入占据着主要的功劳。目前三星和台积电都在为GAA技术的导入做着准备。相对于FinEFT技术,GAA技术能够有效地增强栅极的控制能力,减少漏电情况的发生。

总体来说,随着光刻机技术的不断进步,半导体行业的发展速度也相当迅速,而这也给了国内企业庞大的压力。毕竟现在美国对芯片技术的收紧以及华为遭遇的难题,这些关键技术掌握在别人的手中始终都是一个隐患。

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本文源自头条号:烦人的李狗蛋

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