第三代半导体之GaN研究框架

1.我国GaN产品逐步从小批量研发、向规模化、商业化生产发展。GaN单晶衬底实现2-3英寸小批量产业化,4英寸已经实现样品生产。GaN异质外延衬底已经实现6英寸产业化,8英寸正在进行产品研发。GaN材料应用范围从LED向射频、功率器件不断扩展。

2.射频器件方面,GaN受到5G推动。GaN射频器件衬底主要采用SiC衬底。Cree拥有最强的实力,在射频应用的 GaN HEMT、尤其是GaN-on-SiC技术方面,该公司处于领先地位,远远领先日系厂商住友电工和富士通。国内主要的厂商是海威华芯、三安集成和华进创威。

3.功率器件方面,快充将成为最大推动力。2019年OPPO、小米在新机型中采用了GaN快充器件,随着终端客户积极推进,消费级GaN手机电源市场起量。除消费电子领域外,欧洲车企积极采纳,车规级GaN充电市场迎来需求增长。

建议关注相关产业链标的:北方华创(002371)、三安光电(600703)、长电科技(600584)、闻泰科技(600745)、华峰测控(688200)。

风险提示:半导体周期持续下行,贸易摩擦拉长周期下行的时间;产品迭代速度较慢,国内竞争者迅速成长;制造过程中核心设备和原材料遭到禁运,对生产造成不利影响。

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本文源自头条号:行业研究所

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