太艰难了!中科院辟谣“国产5nm”,原来真实水平为180nm

国产芯片一直是大家非常关心的话题,尽管中国芯片产业谈不上落后,但也算不上先进。在整个芯片生产环节中,光刻机成为了中国半导体产业最为关心的话题,光刻机的精度,也代表了整个半导体产业的完善程度。

光刻机之所以这么难造,是因为光刻机产业链的技术实在太复杂了,投影物镜、工件台和光源,是制造光刻机的三大核心子系统。目前全球最先进的光刻机技术,都基本上被美日两国所垄断了,不过中国正在努力攻克其中的技术难点。

前些时候,一家低调的中国公司华卓精科,就实现了双工件台的重大突破,成为了全球第二家掌握高端光刻机双工件台的企业,其推出的可用于浸没式28nm光刻机的DWSi系列双工件台,将于2021年生产,对于自主光刻机起到了积极的作用。

除了双工件台这一重要系统以外,光源也是非常关键的环节,而这其中就关系着一个非常重要的材料,被称之为“光掩膜”,如果没有这个材料,就无法将集成电路刻画在晶圆上。

在整个光刻的过程中,光源通过激光将电路设计图写在光掩膜版上,然后再照射在硅片的表面,之后才会进行刻蚀工艺。

由此可见,光掩膜是整个集成电路光刻机制造中,至关重要的一部分,这对集成电路线宽也起到了一定限制作用。

长期以来,中国只具备制造中低端光掩膜的能力,并且还需要依赖海外技术、材料等,高端的光掩膜更是成为我国“卡脖子”技术之一,全球高端光掩膜主要掌握在美国、日本等公司手上,其它国家基本上没有存在感。

因此就在前段时间,中科院实现了巨大突破。今年7月,中科院发表了一篇关于《超分辨率激光光刻技术制备5纳米间隙电极和阵列》的研究论文,曾引起广泛关注和热议,那时候正值华为被打压时,半导体产业成为了大家非常关注的话题。

有媒体看到这篇报道后,将其描述为“中国不用EVU光刻机,也能够制造出5nm芯片”,但事实并非如此,远没有媒体描述的那么夸张。

日前该论文作者就做出了解释,文中所指的技术,便是用于光掩膜制作上的新型5nm超高精度激光光刻加工方法,并非是极紫外光光刻技术。

虽然这项技术尽管没有媒体描述的那么夸张,但取得的进展对我国高端光掩膜市场有着十分重要的意义,如今该技术已经完全具备自主知识产权,并且有成本更低的优点。

不过这项技术目前依然处于实验室阶段,想要实现商用并不是一件容易的事情,更何况我国的光刻机技术也非常落后,还有很漫长的一条路要走。

有媒体报道称,我国目前可以实现的自研光刻机制程为180nm,而且仍在试用阶段,还需要不断完善。

不过从上海微电子官网了解到,这家企业现在已经具备研制90nm光刻机,可满足IC前道制造90nm关键层和非关键层的光刻工艺需求,但相比起目前最先进的5nm工艺,差距确实很明显。

为什么国产光刻机技术发展如此缓慢呢?有业内人士认为,主要是因为产业环境问题所导致的。

多年以来,国产的设备一直不被市场看好,不被客户认可,这极大的阻碍了我国的光刻机自研进程。

但是随着近年来越发严峻的半导体产业危机,中兴、华为等公司因为芯片而受限,不少企业改变了以往的观点,意识到了将关键技术、设备等掌握在自己手中的重要性,所以现在中国半导体产业的发展速度有明显加快。

在双工件台之后,紧接着光掩膜也取得了巨大进展,这是一代中国科学家努力换来的结果,不过中国现在落后的地方还非常多,想要实现突破并非易事。

但即便如此,我们也应该抱有信心不断追赶,最终达到业界领先水平,期待这一刻能够尽快到来!

本文源自头条号:王石头科技

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