ASML突然发声:1nm光刻机设计完成,2022年正式商用

众所周知,光刻机是一种本应离我们的日常生活很远的高尖端设备,但是因为这段时间里华为的遭遇,让很多人开始关注起了光刻机设备的进展,而且不只只是关注国内光刻机的发展,对于国外光刻机巨头的动向也开始重视。

实际上,与国外相比,国内的光刻机设备还有很长的路要走。目前最先进的光刻机设备是荷兰ASML的EUV光刻机,能够满足7nm、5nm、3nm等芯片的生产需求。因此,即使在全球范围内想要造出先进的芯片,都离不开ASML的EUV光刻机设备,这也是华为生产芯片遇阻的一个重点。

当然,ASML的光刻机技术处于世界顶端级别,国内要想赶超绝不是一件简单的事,但之前曾有专家表示,半导体的精准度已经迈向3nm,这几乎已经接近极值,摩尔定律即将走到尽头。也就是说,2、3nm的芯片很可能会成为极限,这对国内的芯片厂商来说是一个好消息,因为对手即将无路可走,很难再做出突破,这让我们可以有机会奋起加速追赶。

然而令人遗憾的是,事情并没有向着我们所预想的方向发展。目前最新的5nm芯片制程已经成功应用并实现批量生产,就在前段时间,台积电也正式宣布2nm芯片的工艺取得了突破性进展,有望在未来几年实现生产。甚至光刻机届的巨头,荷兰的ASML在近日也传出了最新消息,表明1nm NA EUV光刻机已经完成设计,有望在2022年实现商用。

前不久,在日本举行的ITF论坛中,IMEC公司传出,他们将和ASML公司合作,共同开发下一代高于NA EUV光刻机技术的高分辨率EUV光刻机,并宣称计划将工艺规模缩小到1nm及以下。按照现在高端芯片的主流工艺(7nm、5nm)来看,它们一般都需要NA=0.33的极紫外EUV光刻机设备。然而,若是想把工艺提高到2nm或者1nm,甚至是到亚1nm,那就必须使光刻机的分辨率达到更高水平。按照IMEC公司公布的发展计划来看,就需要使这个分辨率达到NA=0.55。

现在,NXE:5000系列的高NA EUV曝光系统的基本设计已经被ASML公司成功完成,但是要想让1nm芯片的工艺制造真正实现,并不是一件简单的事,因为实现该工艺除了需要高NA EUV光刻机外,还需要很多更为先进的材料。例如说含有抗蚀剂和掩膜等的材料,而这些目前还处于研发阶段中。因此,高NA EUV光刻机的预计实现商业化时间不得不被推后到2022年。到那个时候,芯片的工艺制造技术将会达到一个新的高峰。

也就是说,等到NA EUV光刻机真正面世,整个光刻机市场的格局也会迎来一次新的变动。这对我们来说,技术垄断这一现象只会越来越明显,而那些吹捧说只要我们取得刻蚀5nm制程技术的突破,就可以摆脱ASML光刻机垄断的言论可以休矣。因为就目前而言,我们仅仅是攻克了其中一个技术,在其它很多配套技术方面还没有彻底搞定,尚不能形成一个整机,所以国内光刻机的研发还有很长的路要走。

当然了,现在我们已经开始真正重视起芯片领域,国内的芯片厂商和中科院等顶级机构也已经开始持续发力,相信我们的光刻机技术达到世界顶尖水平还是有机会的。

本文源自头条号:I科技Fashion

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