再传两个好消息!任正非拜访中科院,中芯国际年底试产8nm芯片

近期国人的关注点基本全在芯片上,华为因为受到打压,所有的代工厂都停止了供应芯片,华为也是面临着无芯片可用。不过,近期关于芯片问题的进展,也传出了两个好消息,一个是任正非去中科院拜访院长,一个是中芯国际在年底会进行8nm芯片的试产,这一切意味着什么?

在半导体领域,我国一直是依赖进口的产品和国外的技术,尤其是在芯片上,在美国开始进行限制了之后,华为的处境就变的非常艰难,光是有芯片的设计工艺,没有办法将芯片制造出来,华为也是有些偏科。通过华为也能够映射出我国整个半导体行业目前存在的问题。但是近期关于芯片,传出了两个好消息,也使得我国科研人员充满了信心。

首先,任正非前去拜访中科院院长。他到达中科院后,跟负责人开了座谈会,其中院长也参与了,这次主要探讨的内容就是基础理论和一些重要科技研发的相关问题。中科院对于华为进行了充分的肯定,认为华为是国产品牌,是我国人民的骄傲,现在已经取得了不小的成绩,希望双方能够进一步合作。根据消息报道,任正非这次去中科院,主要就是想突破一些关键领域的技术问题。

他们目前对自己情况掌握的比较清晰,也知道哪些技术上还存在问题,把这些罗列出来,最后由中科院去一一攻克。之前就是中科院把光刻机、轴承钢等一些问题统一规划,综合整个院的力量去解决这些难题,在这次会谈之后,中科院也就更加清楚我们技术上的问题出现在哪里了。

在欧美国家眼里,中科院非常的神秘,这里有全世界最高级的学术机构,其中有非常厉害的科研人员,也代表着中国科研人才的最高水平。任正非这次的到访,也意味着之后双方会持续合作,华为也算是摆脱独自战斗的模式了,背后有了”国家队”的帮助,自然事半功倍。

第二件事,有消息称,中芯国际已经给出回应,客户导入在第二代N+1技术上完成了,顺利的话,会在年底开始试产。先来给大家解释一下N+1。中芯国际是我国目前最先进的芯片代工厂,虽然制造上跟台积电相比还有进步的空间,但说到底还是因为没有很顶尖的光刻机。原本中芯国际在两年前就向ASML公司预定了光刻机,而且也交付了定金,但是因为有一些限制,到现在都没有货品的消息,公司的制造工艺也一直停留在14nm上。

我们不能一直这样坐以待毙,只好选择再开辟一条新的路线,于是就有了N+1技术,希望通过这个技术能摆脱光刻机,有更先进的制程工艺。现在这个技术已经进展到了第二代,升级之后的N+1工艺,虽然也是14nm的,但整体上跟台积电相比提高了20%,功耗上减少了7%,主要是就在面积上的改变,缩小了63%,也就是说现在中芯国际已经拥有了台积电8nm的工艺。

因为技术刚研发出来,虽然是8nm工艺,但是具体的还要等到年底才能知道。在良品率上跟台积电还是没办法比的。但这在我国半导体行业内,是个非常好的消息,这对于中芯国际打破垄断,重新辟出新路增强了很大的信心。根据消息显示,中芯国际已经开始研发N+2的工艺了,如果可以实现,那么早一些技术上就可以跟台积电7nm工艺水平差不多了,但这样的理论目前还只是在理论上可以说得通,最后的结果还是要等台积电确认。

芯片制造一直是个很艰难的过程,现在也不例外,为此我国一直受到欧美国家的嘲讽,ASML公司也认为就算把图纸给我们,我们自己也无法制造出光刻机,台积电的负责人也表示,就算是我国人民倾尽全力也不会在芯片上有成绩。从目前情况看来,这些话说的是有些草率了,现在我国已经拥有了28nm光刻机的技术,中芯国际也可以量产14nm,这些技术都是我们自己研发的,虽然跟台积电相比还有些差距,但是时间如此短暂,我们能够有如此大的成就,已经非常厉害了。相信未来发展也会越来越快,逐步赶上台积电,再也不用依赖进口的光刻机了。华为面临的困境也就解开了,也许我国半导体领域又能上升一个台阶。

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