不忽悠,中国芯片突破成功!“中芯N+1”方案|专家:国产芯片

美国17年的时候用一招技术封锁,把中芯弄得灰头土脸的,从那时候其国人对芯片国产化的事情格外的上心和敏感。首先在这还是要感谢公国广大的科学工作者的默默的奉献,没有他们中国也没有现在大好的局面,使他们给国人自信、富足的基础。虽然说各项工作开展当中还存在很多的问题,但问题总会被解决,憋屈的日子总有尽头,作为其他的小国家不敢妄语,但作为中国有着实实在在的期盼。

芯片是现在科学技术发展当中的一颗明珠,芯片的发展需要各种学科的协同进步。芯片的发展由于种种原因中国没有能很好地掌控住,不过民族企业在奋起直追,如今也有着非常不错的成绩。不过事实总还是残酷的,芯片领域的落后与世界先进水平相比较还有着巨大的差距。这种差距确实让不少国人感觉到有心无力,有时候想着确实是如果,不过中芯国际N+1方案出来,确实是突破性的成功,给国人打气不少。

之前国人得到的很多的消息是中国能生产的芯片精度是在28纳米、14纳米,这样的一个水平和国家相差不是一丁半点,因为现在的工艺主流是7纳米、5纳米,并且更好的精度3纳米、2纳米、1纳米都有一些眉目了。差距大了容易让人产生绝望情绪,不过中芯的N+1技术的突破是强心针。

N+1技术是中芯的内部代号,这种技术是中芯国际在12纳米工艺芯片上进行了优化,这种优化让芯片的性能方面大幅度的提高了一个档子,具体来讲

中芯国际N+1在功耗稳定性方面非常相似唯一的区别就是性能N+1的性能比14nm提高了约20%但市场基准提升幅度是35%。外界有人说优化后的芯片能达到7纳米的芯片的性能,这可能存在一些夸大。准确点来讲,优化后的14纳米的芯片的性能能达到10纳米的芯片的性能,别小看4纳米的精度,这是一个非常大进步。

如果中心N+的技术在进一步升级,其芯片性能接近7纳米的芯片性能是有非常大的可能的。不过这个地方也存在问题,现在中芯国际订购的EUV极紫光芯片生产机器没有到货,采用N+的技术现有的DUV浸润式光刻芯片是不能满足性能达到5纳米级别的优化的。所以在这地方也是中芯的一个瓶颈。

从中芯技术的进步可以看出,中国芯片这一方面,不管外界如何在传言,作为研发人员来讲都还是在踏踏实实的做着科研。或许真的对于国家的发展来讲,每一位国人做好自己的本分事情就好,这样只要时间过去问题就会得到解决。

本文源自头条号:十二月夜子

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