国产版7nm出动!中芯国际取得巨大进展,打破芯片垄断指日可待

在现如今得世界,科技已经发展的非常的完善,相对于工业革命刚开始的时候,如今的科技研发技术可以说是在缓慢的进步当中,但是在近些年来,有一种科技产品正在迅速的发展,那就是“电子芯片”,给我们的电子产品带来了巨大的提升。

不要小看那小小的一枚电子芯片,可以说光是造它的工具都是世界顶尖的科技结晶,而在芯片技术方面,中国一直是处于后起之秀的位置,虽说比上不足,但是比下有余,然而就在最近,国产版7nm正式出动!中芯国际取得巨大进展,打破芯片垄断指日可待。

在碍于光刻机的制造技术时候,中国在光刻机方面迟迟得不到突破之时,就另寻突破口,在最近中芯国际取得了巨大的进展,在FinFET N+1工艺的芯片,已经初步完成了测试,而且测速的结果非常之好,几乎都是一次就通过。

根据了解,N+1的芯片工艺,大大有别于14nm的制造工艺,14nm虽不是主流芯片,但是在14nm的基础之上进行突破,就能做到主流,而N+1工艺的出现,将芯片性能发挥到极致,据悉相对于上一代芯片,其性能大幅度提升,连功耗都降低了50%以上。

在制造的面积上也缩小了63%,结合种种技术,这颗FinFET N+1工艺的芯片能够去世界主流的7nm工艺相抗衡,虽然依旧无法得到量产,但是这是已经取得了重大的突破了,有一就有二,打破芯片垄断指日可待。

其实可能还是有人不相信现在能够造出与7nm工艺相仿的芯片,但是事实就是中国一直在努力的做出突破,而且也做到了,我们要做的是默默地支持,而不是涨他人的威风,要相信中国的科研能力,接下来就只是时间的问题了,肯定不会让我们失望。

本文源自头条号:环球大观园

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