突破!中芯国际不是花架子,完成芯片难题,对标台积电7nm

我国之所以当前在半导体芯片产业上被美国卡的死死的,其实除了历史等诸多原因导致我国在光刻机领域长期没有深入研究以外,还有一个很多人都没有注意到的非常刁钻的一个角度,那就是芯片的制造标准。

什么是行业标准,大部分的行业标准都是由最先发明出一个物件或者一条产业的企业、国家提出来的,或者是由行业里面技术最优的企业或者国家来制定。美国作为全球半导体行业的领军者,这身又有着经济和科技的双重加持,长期以来都把持着芯片行业的标准,比如芯片的规格、用什么样的设备制造芯片等等。

但是我们都知道,在半导体芯片领域,目前全球就只有三星一家基本能够拿下全部流程的产业链,其他国家都在分别在设计、制造、封测上有着各自的分工,由于半导体行业的投入十分巨大且很耗时间,因此在此前经济全球化的背景下,世界上很多国家虽然也都想拥有自己的芯片产业链,但基本都默认了“造不如买”的“潜规则”,这其中也包含了我国。

而这样长此以往的弊端,也在今年显示了出来。美国政府完全不顾国际贸易的“反垄断”协定,以及全球半导体产业供应链的结构性安全,悍然发动对我国华为的芯片“绞杀战”,也算是震惊了处于半导体芯片行业的所有国家和企业,谁也不知道美国的下一个目标会是谁。

因此,在“潘多拉”魔盒被美国开启以后,很多国家都开始纷纷的对美国技术进行“削减”,试图减少可能在未来发生的被美国“暴击”这种事情。而我国在当前“前所未有”的危机之下,也开启了一次挑战甚至颠覆既定芯片制造标准的行动——既然我们买不到标准的EUV光刻机用来制造芯片,那么我们就自主研发非EUV的光刻机来制造可以进行替代的芯片! 突破!中芯国际不是花架子,完成芯片难题,对标台积电7nm。

许多民众会比较担忧我国在这条路上会花很长一段时间,但是实际上,我们已经距离成功没有多远了!近日,我国半导体巨头芯动科技和中芯国际,已经对基于FinFET N+1技术制造的芯片,完成了流片和测试。而这项技术完全是由我国自主研发的,一点都不包含美国的技术,同时这项技术制造出来的“N+1”芯片在性能上面完全不输给台积电和三星制造的7nm芯片。

也就是说,我国在高端芯片方面已经实现了突破的第一步!而且最重要的是,“N+1”芯片并非是用EUV光刻机制造而成,这也就是意味着我国已经有能力摆脱基于美国技术的荷兰ASML公司的高端EUV光刻机的技术封锁!

虽然台积电的5nm芯片即将在明年开始下线生产,但是我国既然在这么短的时间内就已经能够研发出打破标准7nm芯片行业的制造技术,再给我国一两年的时间,5nm甚至3nm芯片对我们还是问题吗?

尤其在中科院这个国家队都已经下场牵头非EUV光刻机的研发,那么我国的半导体行业何时能够打破行业规则,就真的是指日可待了!

本文源自头条号:熊猫看国际

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