南泥湾精神,支撑华为的第四场战役:光刻机

国产芯片发力迟迟未能成功,其根本原因就在于技术,因为掌握不到先进的晶圆工艺技术,导致我国半导体产业的发展缓慢,而这其中最根本的原因之一,或许跟先进的光刻机密切相关。如果拥有了先进光刻机,应该就能够推动为国晶圆工艺的发展。

光刻机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等,是制造芯片的核心装备。它采用类似照片冲印技术,把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。光刻机分为紫外光源(UV)、深紫外光源(DUV)、极紫外光源(EUV)。

光刻机是整个芯片生产制造的核心设备,光刻机是整个欧洲先进技术的结晶,是工业时代顶尖技术的荟萃。而在全球光刻机市场上,日本的尼康、佳能和荷兰的ASML占据了90%以上的份额,只有荷兰ASML能生产全球最先进的EUV光刻机。

光刻机由:照明系统(光源+产生均匀光的光路)、Stage系统(包括Reticle Stage和Wafer Stage)、镜头组(是光刻机的核心)、搬送系统(Wafer Handler+ Reticle Handler)、Alignment系统(WGA、LSA、 FIA)构成。

通过激发紫外线管的K极,发射出的紫外线被称为极紫外线,极紫外光刻机(Extreme ultra-violet,也称EUV或EUVL)采用了波长为10~14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术,可使曝光波长降到13.5nm,它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。

光刻技术是现代集成电路生产制造的最大瓶颈,EUV光刻机对于芯片制造的重要性是可想而知的,华为高端的麒麟芯片之所以有绝版的可能,就是因为台积电无法再为其代工,而我国的其它代工厂没有掌握到先进的工艺,很大程度上是缺少了EUV光刻机这一关键设备环。

目前,我国也只有商用的90nm工艺,和研制中的28nm工艺,这离ASML已能实现的5nm,甚至3nm工艺有着巨大的差距。既然是瓶颈,别人做不了,那就自己研发,这就是南泥湾精神支撑华为的第四场战役:光刻机。当下华为正在全世界延揽人才,投资百亿,集精华人才参战,打赢第四场战役。

本文源自头条号:百科天地

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